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2SJ168
耐压:60V 电流:0.5A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- 2SJ168
- 商品编号
- C42436589
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0601克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
BM20P12A采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(on)、低栅极电荷和高密度单元设计，可实现超低导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20 V，漏极电流ID = -12 A
- 栅源电压VGS = -2.5 V时，导通电阻RDS(ON)典型值为20 mΩ
- 栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON)典型值为17 mΩ
- 具备高功率和高电流处理能力
- 产品无铅
- 采用表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关