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IRF7821TRPBF-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7821TRPBF-TP

N沟道 耐压:30V 电流:12A

描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
IRF7821TRPBF-TP
商品编号
C42437023
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2268克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@5V
输入电容(Ciss)1.55nF
反向传输电容(Crss)180pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)300pF

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 12A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 12mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 16mΩ

应用领域

  • 电池保护
  • 负载开关

数据手册PDF