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TPM12003NHK3
N沟道 耐压:1200V 电流:3A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM12003NHK3
- 商品编号
- C42437038
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.032857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 634pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS):1200 V
- 漏源电流(IDS):3.0 A
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压VGS = 10 V时):< 7Ω(典型值)
- 低栅极电荷,可最大限度降低开关损耗
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 电源管理
- 开关电源待机电源
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