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UM5K1N-TP
N沟道 耐压:30V 电流:0.8A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- UM5K1N-TP
- 商品编号
- C42436653
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- -30V、-9A，VGS = -10V时，RDS(ON) = 15mΩ
- 快速开关
- 有环保器件可选
- 适用于-4.5V栅极驱动应用
应用领域
- 反接电池保护
- 负载开关
- 电源管理
- 电机控制