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TPM30D2LC5
耐压:30V 电流:0.8A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM30D2LC5
- 商品编号
- C42436635
- 商品封装
- SOT-353
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100 V，栅源电压（VGS） = 10 V时，漏极电流（ID） = 38 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，典型导通电阻RDS(ON) = 7.0 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，典型导通电阻RDS(ON) = 9.0 mΩ（典型值）
- 超低导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷
- 无铅引脚电镀
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机、消费电子、工业4.0、通信领域的电源管理
- 直流/直流与交流/直流（同步整流）子系统的电流切换
- 负载切换、快速/无线充电、电机驱动