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ZXT10N50DE6TA
NPN 电流:3A 电压:50V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 50V。 IC = 3A 连续集电极电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。 RCE(SAT) = 75mΩ，低等效导通电阻。 低饱和电压（1A 时最大 200mV）。 hFE 特性可达 6A。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXT10N50DE6TA
- 商品编号
- C443657
- 商品封装
- SOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@1A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 165MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV@1A,10mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V |