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FQD20N06S
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- N-Channel沟道，BVDSS=60V,ID=20A，RDS(on):0.022Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD20N06S
- 商品编号
- C42417218
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4618克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷:Qg = 50nC(典型值)。
- BVDSS = 60V,ID = 20A
- RDS(导通):0.022Ω(最大值)@VG = 10V
- 100%雪崩测试
- TO - 252
- 符合RoHS标准