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FQD5N20

1个N沟道 耐压:200V 电流:5A

描述
N-Channel沟道,BVDSS=200V,ID=5.0A,RDS(on):450Ω(Typ.)@VGS=10V
品牌名称
KTP(科泰普)
商品型号
FQD5N20
商品编号
C42417221
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))1.8V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13.5nC@10V
输入电容(Ciss)462pF
反向传输电容(Crss)8.8pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)55pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

    购买数量

    (2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
    起订量:5 个2500个/圆盘

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