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FQD4N20
1个N沟道 耐压:200V 电流:5A
- 描述
- N-Channel沟道，BVDSS=200V,ID=5.0A，RDS(on)：450Ω(Typ.)@VGS=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD4N20
- 商品编号
- C42417220
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3864克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 462pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品特性
- 低固有电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 13.5nC（典型值）。
- BVDSS = 200V，ID = 5.0A
- RDS(on)：450 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
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