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FQD50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- N-Channel沟道，BVDSS=60V,ID=50A，RDS(on):0.018Ω(Max)@VG=10V
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- FQD50N06
- 商品编号
- C42417219
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.008nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷,适用于快速开关应用
- 优化的BVDSS能力
应用领域
- 电源
- DC-DC转换器