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D90N25-MNS
N沟道90A 250V
- 描述
- D90N25-MNS 硅 N 沟道增强型 MOSFET 采用先进的 MOSFET 技术制成，可降低导通损耗、提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源 (SMPS)、高速开关和通用应用。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- D90N25-MNS
- 商品编号
- C42411361
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.726667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 830W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.65nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别定制，可将 RDS(ON) 降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。该器件符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS，且具备完整功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) = 3.0 mΩ @ VGS = 10 V
- 超低栅极电荷
- 出色的 dv/dt 能力
- 100% 保证 EAS
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 网络
- 负载开关
- 同步整流器
- 快速充电器