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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

K2837-MNS

N沟道20A 500V

描述
K2837是硅N沟道增强型MOSFET,采用先进的MOSFET技术制造,可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
品牌名称
minos(迈诺斯)
商品型号
K2837-MNS
商品编号
C42411365
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.949833克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))230mΩ@10V,10A
耗散功率(Pd)230W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)56nC@10V
输入电容(Ciss)1.92nF@25V
反向传输电容(Crss)18pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

P50N20 - MNS是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。

商品特性

  • 专有新型平面技术
  • RDS(ON),典型值 = 47 mΩ(VGS = 10 V时)
  • 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
  • 快速恢复体二极管

应用领域

  • DC - DC转换器
  • 用于UPS的DC - AC逆变器
  • 开关电源和电机控制

数据手册PDF