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IRF540N-MNS
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
- 描述
- N沟道功率MOSFET,35A,100V，25mΩ 10V 10A，采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON），低栅极电荷
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF540N-MNS
- 商品编号
- C42411367
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
IRF540N-MNS采用先进的沟槽技术,具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 35 A
- 在栅源电压VGS=10V时,导通电阻RDS(ON) < 30mΩ
- 高密度单元设计,降低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 封装散热性能出色
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源