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IRF540NS-MNS
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
- 描述
- N沟道 100V 35A 25mΩ 10V 4A 70W 采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON），低栅极电荷
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- IRF540NS-MNS
- 商品编号
- C42411368
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.914875克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF |
商品概述
采用先进的MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- VDS = 250 V，VGS = 10 V、ID = 90 A时，Rdson < 35 mΩ（典型值：26 mΩ）
- 快速开关
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高频开关模式电源
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