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BMI403NP1136

BMI403NP1136

    描述
    N沟道+P沟道 Vds=30V ID=45A
    品牌名称
    BORN(伯恩半导体)
    商品型号
    BMI403NP1136
    商品编号
    C42387580
    商品封装
    TO-252-4L
    包装方式
    编带
    商品毛重
    0.46328克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    数量1个N沟道+1个P沟道
    漏源电压(Vdss)30V
    连续漏极电流(Id)30A
    导通电阻(RDS(on))50mΩ@4.5V
    耗散功率(Pd)25W
    阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
    属性参数值
    栅极电荷量(Qg)18nC@10V
    输入电容(Ciss)950pF
    反向传输电容(Crss)105pF
    工作温度-
    配置-
    类型N沟道+P沟道
    输出电容(Coss)115pF

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