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BMI403NP1136
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
- 描述
- N沟道+P沟道 Vds=30V ID=45A
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMI403NP1136
- 商品编号
- C42387580
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46328克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- N沟道:
- 漏源击穿电压V(BR)DSS = 30 V
- 漏极电流ID = 30 A
- 当栅源电压VGS = ± 10 V时,导通电阻RDS(ON)典型值 = 10 mΩ
- 当栅源电压VGS = ± 4.5 V时,导通电阻RDS(ON)典型值 = 13 mΩ
- P沟道:
- 漏源击穿电压V(BR)DSS = -30 V
- 漏极电流ID = -22 A
- 当栅源电压VGS = ± 10 V时,导通电阻RDS(ON)典型值 = 24 mΩ
- 当栅源电压VGS = ± 4.5 V时,导通电阻RDS(ON)典型值 = 40 mΩ
- 增强型
- 极低导通电阻
- 快速开关
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关
- DC-DC转换
- 电源管理