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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BMI03N820

1个N沟道 耐压:30V 电流:45A

描述
N沟道 Vds=30V ID=45A
商品型号
BMI03N820
商品编号
C42387581
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.46512克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)45A
导通电阻(RDS(on))8.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)45W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18.8nC@10V
输入电容(Ciss)860pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

商品概述

BN103N820采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on),可用于广泛的应用领域。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30 V
  • 漏极电流ID = 45 A
  • 10 V时的导通电阻RDS(ON),典型值 = 8.2 mΩ

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 不间断电源(UPS)
  • LED照明电源

数据手册PDF