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BMI03N820
1个N沟道 耐压:30V 电流:45A
- 描述
- N沟道 Vds=30V ID=45A
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BMI03N820
- 商品编号
- C42387581
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46512克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.2mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 符合 RoHS 和 Reach 标准
- 无卤素和锑
- 防潮等级 1 级
应用领域
- 负载开关-PWM 应用-电源管理
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