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BMI03N820

BMI03N820

    描述
    N沟道 Vds=30V ID=45A
    品牌名称
    BORN(伯恩半导体)
    商品型号
    BMI03N820
    商品编号
    C42387581
    商品封装
    TO-252-2L
    包装方式
    编带
    商品毛重
    0.46512克(g)

    商品参数

    属性参数值
    商品目录场效应管(MOSFET)
    数量1个N沟道
    漏源电压(Vdss)30V
    连续漏极电流(Id)45A
    导通电阻(RDS(on))8.2mΩ@10V,15A
    耗散功率(Pd)45W
    属性参数值
    阈值电压(Vgs(th))1V
    栅极电荷量(Qg)18.8nC@10V
    输入电容(Ciss)860pF@15V
    反向传输电容(Crss)-
    工作温度-
    配置-

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