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2N7002K
N沟道MOSFET
- 描述
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)），可靠且耐用。
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C42387582
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035311克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
- 超高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT-23表面贴装封装
- 具备静电防护功能
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V
- 漏极电流ID = 0.3 A
- 栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON)最大值为3 Ω
- 栅源电压VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(ON)最大值为4 Ω
应用领域
- 电机控制与驱动-电池管理-不间断电源