商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
栅极电荷量(Qg) | - | |
输入电容(Ciss) | 40pF | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
工作温度 | - | |
配置 | - | |
类型 | N沟道 | |
输出电容(Coss) | 30pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 50 个)个
起订量:50 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交3单
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