GBI1410TKBR

GBI1410是一款40V、1A的降压转换器，集成了400mΩ的高端MOSFET和200mΩ的低端MOSFET。该器件输入电压范围宽，为4.6V至40V，采用峰值电流模式，支持1MHz的固定开关频率，以减少片外元件数量。GBI1410具有1ms的内部软启动时间。 该器件在睡眠模式下的静态电流为80μA，关断电流为1μA。GBI1410具有1ms的内部软启动时间。该器件默认的输入启动电压为4.3V，迟滞为450mV。EN引脚是一个高精度阈值的高压引脚，可通过两个外部电阻调节输入电压锁定阈值，以满足更精确的欠压锁定（UVLO）系统要求。EN引脚浮空可使能该器件。将EN引脚直接连接到VIN可自动启动该器件。 该器件集成了多种保护功能，如逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护、输出短路保护和输入欠压保护。该器件还支持预偏置输出条件下的单片启动。 GBI1410采用固定频率峰值电流模式控制。内部时钟在每个周期启动集成的高端功率MOSFET导通，然后电感电流线性上升。当通过高端MOSFET的电流达到内部误差放大器的内部补偿电压设定的阈值水平时，高端MOSFET关断。当高端MOSFET关断时，电感电流通过低端MOSFET放电，直到下一个时钟周期开始。 集成的误差放大器和内部补偿电路构成反馈环路，将输出电压调节到参考电压。误差放大器将FB引脚的电压与0.81V的内部参考电压进行比较。负载电流增加会降低反馈电压，这相当于误差放大器输出电压升高，直到平均电感电流与增加的负载电流匹配。 该器件还集成了内部斜率补偿电路，以防止在固定频率峰值电流模式控制下占空比大于50%时出现次谐波振荡。 GBI1410在轻负载电流时以脉冲跳跃模式（PSM）工作，以提高效率。负载电流减小会导致反馈电压升高，从而使补偿电压降低。当补偿电压降至低钳位阈值时，触发PSM。在跳跃期间，输出电容放电导致输出电压下降，使FB电压衰减。一旦FB电压降至参考电压以下，且补偿电压升至低钳位阈值以上，集成的高端MOSFET将在下一个时钟脉冲导通。在几个典型峰值电感电流为0.2A的开关周期后，如果输出继续处于轻载状态，内部补偿电压下降并再次被钳位，脉冲跳跃模式重复。 这种PSM通过跳过周期来减少开关功率损耗和栅极驱动充电损耗，有助于实现更高的效率。为进一步提高效率，在无开关的跳跃期间，静态电流为80μA。 GBI1410设计用于在4.6V至40V的输入电压范围内工作，建议至少使用0.1μF和10μF的去耦陶瓷电容来旁路电源噪声。 GBI1410的EN引脚是一个高压引脚，可以连接

• 宽输入电压范围：4.6V - 40V
• 高达1A的连续输出电流
• 0.81V ± 2.5%的反馈参考电压
• 集成400mΩ高端和200mΩ低端功率MOSFET
• 固定频率1MHz
• 轻载时采用脉冲跳跃模式（PSM）
• 睡眠模式下80μA的静态电流
• 80ns的最小导通时间
• 1ms的内部软启动时间
• 过流保护和打嗝保护

• 工业24V分布式电源总线
• 功率计
• 电梯、可编程逻辑控制器（PLC）、伺服系统
• 自动控制