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WST3407B
P沟道 -30V -4.2A 50mΩ
- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-30V@@连续漏极电流(Id)：-4.2A@@功率(Pd)：1W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：50mΩ@-10V,-1A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：-2V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST3407B
- 商品编号
- C42371147
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 80.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90.8pF |
商品概述
WST3407B是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WST3407B符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供环保型器件
应用领域
- 高频负载点同步开关,适用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、视频图形阵列(VGA)等小功率开关应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关