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WST3414A
N沟道 20V 4.2A -mΩ
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：20V@@连续漏极电流(Id)：4.2A@@功率(Pd)：1W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@4.5V,4.2A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST3414A
- 商品编号
- C42371148
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0432克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WST3414A是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。 WST3414A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关-网络DC-DC电源系统-负载开关