温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WST2N7002B
N沟道 60V 0.3A 1800mΩ
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：0.3A@@功率(Pd)：0.2W@@导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1800mΩ@10V,0.3A@@阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2N7002B
- 商品编号
- C42371143
- 商品封装
- SOT-23L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039733克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17pF |
商品概述
WST2N7002B是一款高性能沟槽N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷。 WST2N7002B符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 高速开关
- 提供绿色器件
应用领域
- 用于移动电脑、笔记本电脑、超便携个人电脑的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关