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IRF9333TR(UMW)
-30V P沟道MOSFET
- 描述
- 特性：VDS(V)=-30V。 ID =-9.2A(VGS =-10V)。 RDS(ON)< 19.4mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON)< 32.5mΩ(VGS =-4.5V)。 Industry-Standard SO8 Package。 RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen。应用：Charge and Discharge Switch for Notebook PC。 Battery Application
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRF9333TR(UMW)
- 商品编号
- C42370419
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.197833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |