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IRLZ44NSTRL(UMW)
55V N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：采用先进的处理技术，在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(GS) < 22mΩ(VGS = 10V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLZ44NSTRL(UMW)
- 商品编号
- C42370422
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.040375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@5.0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |