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BSP318S(UMW)
60V N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：VDS(V)=60V。 ID = 2.6A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.15Ω(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 0.09Ω(VGS = 4.5V)。 N- 沟道。 增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dv/dt 额定。 无铅引脚电镀；符合 RoHS 标准
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- BSP318S(UMW)
- 商品编号
- C42370426
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
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