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IRLZ34NSTRL(UMW)
55V N沟道MOSFET
- 描述
- 特性：第五代采用先进加工技术，在单位硅面积上实现尽可能低的导通电阻。 VDS(v) = 55V。 ID = 16A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLZ34NSTRL(UMW)
- 商品编号
- C42370421
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 94pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 220pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个800个/圆盘
总价金额：
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