- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NVH4L032N065M3S
N沟道碳化硅(SiC) MOSFET，具备低栅极电荷、高速开关和AEC-Q101认证
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVH4L032N065M3S
- 商品编号
- C42162110
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 114pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ |
商品特性
- 典型 RDS(on) = 32 mΩ @ VGS = 18 V
- 超低栅极电荷 (QG(tot) = 55 nC)
- 低电容实现高速开关 (Coss = 114 pF)
- 100% 雪崩测试
- 符合 AEC-Q101 标准并具备 PPAP 能力
- 该器件无卤化物，符合 RoHS 豁免 7a 条款，为无铅 2LI 工艺
应用领域
- 汽车车载充电器
- 电动汽车/混合动力汽车用 DC-DC 转换器