QCPL-WB3N-560E

该器件包含一个AlGaAs LED，其与带功率输出级的集成电路光耦合。此光耦合器非常适合用于驱动电机控制逆变器应用中的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，此光耦合器可用于驱动分立功率级，进而驱动IGBT栅极。该器件在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准下具有最高的绝缘电压VIORM = 1140 Vpeak。

• 最大峰值输出电流4.0 A (105°C)
• 最大峰值输出电流3.5 A (125°C)
• 最小峰值输出电流3.0 A
• 轨到轨输出电压
• 最大传输延迟200 ns
• 最大传输延迟差100 ns
• 带迟滞的LED电流输入
• 在VCM = 1500V时，最小共模抑制比(CMR)为35 kV/μs
• 最大电源电流ICC = 3.0 mA
• 带迟滞的欠压锁定保护(UVLO)
• 宽工作VCC范围：15V至30V
• 工业温度范围：-40°C至125°C
• 安全认证：UL认可5000 VRMS持续1分钟；CSA；IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 1140 Vpeak

• IGBT/MOSFET栅极驱动
• 交流和无刷直流电机驱动
• 可再生能源逆变器
• 工业逆变器
• 开关电源