温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPT017N10NM5LF2ATMA1
N沟道 100V 321A
- 描述
- 特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据JECL1249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- 商品编号
- C41716913
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 321A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.8nF |
商品特性
~~- 先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-湿度敏感度等级3
应用领域
- 负载开关-PWM应用