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IQDH45N04LM6CGSCATMA1
N沟道 40V 611A
- 描述
- 特性：N沟道，逻辑电平。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 为双面冷却优化设计。 100%雪崩测试。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据JECL1249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQDH45N04LM6CGSCATMA1
- 商品编号
- C41485829
- 商品封装
- PG-WHTFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 611A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5mΩ@4.5V；0.4mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 333W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 129nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
MLS65R190F是采用先进超结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗，提升开关性能。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- N沟道、逻辑电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 双侧散热优化设计
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249-2-21的无卤要求
应用领域
- PFC电源级
- 开关应用
- 适配器
- 电机控制
- DC - DC转换器