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UCC27301AQDDARQ1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27301AQDDARQ1

UCC27301AQDDARQ1

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描述
专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET 而设计,绝对最大自举电压为 120V,凭借 3.7A 的峰值拉电流和 4.5A 的峰值灌电流能力,可在驱动大功率 MOSFET 的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点(HS 引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关,并且能够承受 -10V 和 +20V 的绝对最大额定值。低侧和高侧栅极驱动器彼此之间的开通和关断时间均为 4ns,并通过 LI 和 HI 输入引脚独立控制
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27301AQDDARQ1
商品编号
C41488145
商品封装
SO-8​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
工作电压8V~17V
上升时间(tr)7.2ns
属性参数值
下降时间(tf)5.5ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)1.7V
输入低电平(VIL)1.9V
静态电流(Iq)190uA