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DMD8515E
耗尽型MOSFET
- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel _850V_30Ω_0.2A_TO-252
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMD8515E
- 商品编号
- C41432014
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@8uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 393.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20.7pF |
商品概述
CMD603B采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS(ON)。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 双N沟道和P沟道MOSFET
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源管理-负载开关-DC/DC转换器
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