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AKL30N5P0SD
N沟道+N沟道 增强型MOSFET
- 描述
- N+N双通道Trench工艺MOSFET，具备优异性能与高可靠性。导通电阻小：8mΩ@VGS=10V，9.5mΩ@VGS=4.5V，10.8mΩ@VGS=3.8V；通流能力强：ID=10A；适用于单向/双向负载开关、电源管理、电池保护系统（BMS）及同步整流等应用场景。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- AKL30N5P0SD
- 商品编号
- C41432017
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.114克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.527nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |