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FTF15C35G
N沟道+P沟道 增强型MOSFET
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- 描述
- N+P双通道MOSFET，采用平面工艺，PDFN3*3双芯封装，兼具高可靠性、优异散热特性。N、P管耐压350V，N-MOSFET额定电流ID=300mA，P-MOSFET额定电流ID=200mA；可作为中高压功率开关管/负载开关使用，适合用于电源管理、电机驱动、工业控制等多个领域。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTF15C35G
- 商品编号
- C41432016
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 43.39pF；32.58pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.75pF；0.84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- 通用线路驱动器
- 高压脉冲发生器
- 放大器
- 缓冲器