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DMX22C40A
耗尽型MOSFET
- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_400V_25Ω_0.12A_SOT-89
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMX22C40A
- 商品编号
- C41432011
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 84pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15.1pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 45 A，当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 16 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能出色