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DOD60N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:60A
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- 描述
- N管/20V/60A/6.5mΩ/(典型4.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD60N02
- 商品编号
- C41416027
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44548克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.831nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 20 V, ID = 60 A, RDS(ON) < 6.5 m Ω(在 VGS = 4.5 V 时)
- 低栅极电荷。
- 有环保器件可选。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的出色封装。