温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DO4407
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P管/-30V/-10A/15mΩ/(典型12mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DO4407
- 商品编号
- C41416040
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.190067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on)),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V,漏极电流(ID) = -10 A,当栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
- 湿度敏感度等级(MSL)为3级
应用领域
- 次级同步整流器-负载开关-LED背光-工业电源