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P2003ND5G-DO
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:25A
- 描述
- N+P管/30V/25A/13mΩ/(典型10mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- P2003ND5G-DO
- 商品编号
- C41416044
- 商品封装
- TO-252-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45484克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on),适用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 30 V,ID = 25 A,VGS = 10 V时,RDS(ON) < 13 mΩ
- P沟道:VDS = -30 V,ID = -19 A,VGS = -10 V时,RDS(ON) < 33 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
应用领域
- 高效率开关电源
- 功率因数校正
- 电子整流器