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P2003ND5G-DO实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

P2003ND5G-DO

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:25A

描述
N+P管/30V/25A/13mΩ/(典型10mΩ)
商品型号
P2003ND5G-DO
商品编号
C41416044
商品封装
TO-252-4​
包装方式
编带
商品毛重
0.45484克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))13mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)95pF
工作温度-55℃~+150℃
配置共漏
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)105pF

商品特性

  • 开关速度快
  • 高输入阻抗和低电平驱动
  • 雪崩能量测试
  • 提高 dv/dt 能力,高耐用性

应用领域

  • 高效率开关电源
  • 功率因数校正
  • 电子整流器

数据手册PDF