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DOD20P06
1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- P管/-60V/-20A/68mΩ/(典型60.9mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD20P06
- 商品编号
- C41416030
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44732克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82.32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.961nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 560pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）
- 60 V，漏极电流（ID）- 13 A，当栅源电压（VGS）~~- 10 V时，导通电阻（RDS(ON)）< 90 mΩ - 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能出色