KL4N35S1-TA
KL4N35S1-TA
- 描述
- 晶体管光耦（DC)，电流传输比100%~，正向电压1.2V,反向电流10uA，TAin击穿电压80V，TAax暗电流50nA，隔离电压5000V，总消耗功率200TAW，工作温度-55~+110℃，SMD6（尺寸7.1x6.48x3.5mm），S1TA-铜线
- 品牌名称
- Kinglight(晶台)
- 商品型号
- KL4N35S1-TA
- 商品编号
- C41414387
- 商品封装
- SMD-6P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | - | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 输出电流 | - | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 80V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出通道数 | 1 | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 上升时间(tr) | 10us | |
| 下降时间 | 9us | |
| 工作温度 | -55℃~+110℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - |
商品概述
- KL4N3X系列器件由一个红外发射二极管与一个光电晶体管组合，构成光电耦合器。
- 它们采用6引脚DIP封装，并提供宽引线间距和SMD选项。
商品特性
- 输入与输出间高隔离电压 (Viso = 5000 V rms)
- 爬电距离 > 7.62 mm
- 工作温度可达 +110°C
- 紧凑型双列直插式封装
- 符合欧盟REACH法规
- 无Pb且符合ROHS标准
应用领域
- 电源调节器
- 数字逻辑输入
- 微处理器输入
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