温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMSA070N10
N沟道 100V 90A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CMSA070N10采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA070N10
- 商品编号
- C41410545
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
150N03NF-ES是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品150N03NF-ES为无铅产品。
商品特性
- 30V，VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.7mΩ（典型值）
- VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.6mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换