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FDD3672-TP
N沟道MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDD3672-TP
- 商品编号
- C41407969
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.641325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS):100V
- 漏源电流(IDS):50A
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS)= 10V 时):18mΩ
- 先进沟槽技术
应用领域
- 反接电池保护
- 负载开关
- 电源管理
- 脉宽调制(PWM)应用