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SI2305DS
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI2305DS
- 商品编号
- C41408032
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -5A
- 栅源电压(VGS) = -4.5V时,导通电阻(RDS(ON))典型值 = 32mΩ
- 栅源电压(VGS) = -2.5V时,导通电阻(RDS(ON))典型值 = 41mΩ
应用领域
- 直流-直流转换器
- 便携式设备和电池
- 负载开关