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TPM30P10K3
P沟道 耐压:100V 电流:30A
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM30P10K3
- 商品编号
- C41408084
- 商品封装
- TO-252-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44692克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 102W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 222pF |
商品概述
7P20B采用先进的沟槽技术和设计，可在实现低栅极电荷的同时提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(Vds)=-100V,漏极电流(ID)=-30A
- 栅源电压(VGS)=-10V时,导通电阻(RDS(ON))=40mΩ
- 先进的MOSFET工艺技术
- 专为PWM、负载开关和通用应用设计
- 超低导通电阻和低栅极电荷
- 快速开关和反向体恢复
- 工作温度可达150°C
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器
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