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IRLL014NTRPBF-TP
1个N沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- IRLL014NTRPBF-TP
- 商品编号
- C41407976
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 60V、4A,VGS = 10V 时,RDS(ON) = 85 mΩ
- VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 100mΩ
- 采用高密单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 坚固可靠
- 产品无铅
- SOT - 223 封装
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换