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BSZ040N04A
1个N沟道 耐压:40V 电流:47A
- 描述
- BSZ040N04A 采用先进的 SGT 技术生产。该先进技术经过特别定制，可最大程度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSZ040N04A
- 商品编号
- C41379059
- 商品封装
- PDFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.106nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 242pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。这项先进技术经过特别设计,可将传导损耗降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- VDS = 40 V,ID = 47 A
- RDS(ON)典型值 = 5.3 mΩ @ VGS = 10 V
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- PDFN3*3-8L
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理