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2N7002K-L
场效应晶体管，硅N沟道MOS型
- 描述
- 这款是N沟道增强型MOSFET,VDS电压60V，ID电流0.3A。具备卓越的快速开关性能，它可用于多种应用场景。具备静电放电（ESD）保护功能。
- 品牌名称
- PIELENST(派量)
- 商品型号
- 2N7002K-L
- 商品编号
- C41376468
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 采用高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(on)
- 电压控制型小信号开关
- 坚固可靠
- 具备高饱和电流能力
- 具备静电放电(ESD)保护
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 直流-直流(DC/DC)转换器