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SI2323DS-T1-GE3-L
P沟道MOSFET
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- 描述
- 这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压20V，ID电流4.2A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- PIELENST(派量)
- 商品型号
- SI2323DS-T1-GE3-L
- 商品编号
- C41376491
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿气敏感度等级1级
- 可根据需求添加后缀“-HF”获得无卤产品
- 无铅镀层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准,详见订购信息)
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器