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AO4407A-L
P沟道增强型MOS场效应晶体管
- 描述
- 这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压30V，ID电流10.5A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- PIELENST(派量)
- 商品型号
- AO4407A-L
- 商品编号
- C41376494
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.189467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 30V,RDS(ON)=13.5mΩ(典型值),VGS=-10V
- RDS(ON)=18.5mΩ(典型值),VGS=-4.5V
- 快速开关
- 采用高密度单元设计,实现低RDS(ON)
- 材料:无卤
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换