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SI2301-L
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压20V，ID电流2.3A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- PIELENST(派量)
- 商品型号
- SI2301-L
- 商品编号
- C41376470
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 162mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -20V,漏极电流(ID) = -2.3A
- 当栅源电压(VGS) = -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 140mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -2.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 162mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 负载开关
- SOT23 封装
- P 沟道 MOSFET