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XP135A1145SR-VB
1个N+P沟道,耐压：±30V，电流：9/-6A
- 描述
- SOP8；N+P—Channel沟道,±30V；9/-6A；RDS(ON)=15/42mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.65V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- XP135A1145SR-VB
- 商品编号
- C41370596
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V；41.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电机驱动
- 移动电源
- ZDS020N60TB-VB
- RDD020N60-VB
- ZVP3310FTA-VB
- 2SK3310-VB
- MCH3310-VB
- AP3310J-VB
- ZXM66P02N8TA-VB
- ZXMP10A13FTC-VB
- 2SK3467-ZK-VB
- FQPF17P10-VB
- H7P1002DL-VB
- H7P1002DSTL-E-VB
- FLD0503A-3.3YSOT23G/TR
- FLD1117-3.3YSOT893G/TR
- FBC4066YESOP8G/TR
- FSW3410YQFN18G/TR
- ZX-PM1.0-2-2PU-W
- ZX-PM1.0-2-3PU-W
- ZX-PM1.0-2-4PU-W
- ZX-PM1.0-2-5PU-W
- ZX-PM1.0-2-9PU-W